FF300R12KE3G   - IGBT транзисторный модуль.

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:     1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:          1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:              300 A
Максимальный импульсный ток:                              600 А
Ток утечки затвор-эмиттер:                                      400 nA
Рассеяние мощности:                                               1450 W
Максимальная рабочая температура:                   + 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:        +/- 20 V
Минимальная рабочая температура:                      - 40 C
Вид монтажа:                                                            Screw

IGBT модуль  FF300R12KE3G  -  транзисторная сборка функционально соответствующая следующей схеме:

Техническая информация в формате PDF можно скачать в спецификациях ниже. 

Наиболее приемлемый вариант замены данного модуля IGBT на аналогичный но другого производителя смотрите здесь

УП "Силовая электроника" тел.факс 017-2058245, тел. 029-6130564