Описание:

Crossbeam 350 — это электронно-ионный микроскоп для задач обратной инженерии и формирования трехмерных нанообъектов. Crossbeam 350 готовит однородные срезы толщиной 10 нм с помощью ионного пучка и препарирует поверхность с точностью 3 нм по вертикали.

Область применения

Электронная промышленность, аэрокосмические технологии, материаловедение, наука о жизни, наноструктурирование, атомная промышленность, химия

Характеристики:

Crossbeam 350 работает с диэлектрическими образцами, которые нельзя предварительно готовить – такие образцы он исследует при пониженном до 500 Па давления в камере или при сниженном до 20 В ускоряющем напряжении.

Crossbeam 350 исследует газящие и разрушающиеся под действием радиации образцы – полимеры, химические вещества, суспензии – при низких ускоряющих напряжениях в 20 В. Это увеличивает поверхностную чувствительность, уменьшает зарядку непроводящих образцов и повреждение чувствительных к пучку электронов образцов. В результате микроскоп исследует диэлектрические образцы с нанометровыми областями интереса без предварительной пробоподгототовки, что также ускоряет процесс ионной резки.

Режим пониженного давления NanoVP позволяет работать с реальными образцами без пробоподготовки. В этом режиме внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно-рассеянных электронов могут использоваться одновременно при пониженном до 150 Па давлении.

Давление может быть снижено до 500 Па, тогда изображение строит специальный детектор вторичных электронов при переменном давлении, VPSE.

Конструкция колонны Crossbeam 350 минимизирует магнитные поля на поверхности образцов. Микроскоп изображает диа-, пара- или ферромагнитные образцы с разрешением 4 нм при рабочем расстоянии 2 мм и напряжении 1 кВ.

Электронная «оптика» получает предельные результаты и при работе опционального детектора СТЭМ: 0,7 нм при 30 кВ. Таким образом, большинство задач трансмиссионной (просвечивающей) электронной микроскопии (ТЭМ) Crossbeam 350 решает и без использования микроскопа ТЭМ.

Ионная колонна с галиевым источником автоматически режет и получает изображения с высокой точностью при низких ускоряющих напряжения, что гарантирует резку хрупких и не стойких к радиации образцов. Скоростью резки – ламель 50*20 мкм2 за 25 минут.

Опциональная электронная пушка для нейтрализации заряда на полупроводниковых образцах позволяет резать непроводящие материалы с высокой точностью и одновременно получать изображение поверхности.