Описание:

Crossbeam 550 — флагман линейки электронно-ионных микроскопов ZEISS, который создает и исследует новые изделия и технологии, а также изображает поверхность любых объектов с нанометровым разрешением.

 

Область применения

Электронная промышленность, аэрокосмические технологии, материаловедение, наноструктурирование, наука о жизни, химия, атомная промышленность, подготовка образцов для ТЭМ (ламелей)

 

Характеристики:

Тип катода	Шоттки
Разрешение электронной колонны	0,6 нм при 30 кВ в режиме СТЭМ 0,7 нм при 15 кВ 1,4 нм при 1 кВ 1,2 нм при 1 кВ* 1,6 нм при 0.2 кВ** с опцией приложения напряжения к столику для образцов
Ускоряющее напряжение электронной колонны	20 В – 30 000 В
Разрешение ионной колонны	3 нм при 30 кВ 120 нм при 1 кВ 330 нм при 500 В
Ускоряющее напряжение ионной колонны	0,5 – 30 кВ
Ток ионного пучка	1 пА – 100 нА
Перемещения рабочего столика	X = 100 мм, Y = 100 мм, Z = 50 мм Вращение 360 градусов Наклон от -4 до +70 градусов Ось M* = 13 мм * Ось, перпендикулярная падающему пучку ионов
Тип столика	Комбинированный эвцентрик
Детекторы	Стандартные: Боковой вторичных электронов Внутрилинзовый вторичных электронов Опциональные: Сдвоенный внутрилинзовый детектор вторичных и обратно-рассеянных электронов Вторичных электронов при переменном давлении Обратно-рассеянных электронов Катодолюминесцентный СТЭМ Вторичных электронов и вторичных ионов Масс-спектрометр вторичных ионов ЭДС, ВДС, ДОЭ и др.

 

Crossbeam 550 решает задачи обратной инженерии и формирования трехмерных нанообъектов:

• получает трехмерные изображения с разрешением 0,7 нм
• в течение нескольких минут изготавливает однородные срезы толщиной 10 нм
• препарирует поверхности с точностью 3 нм по вертикали.

 

Crossbeam 550 исследует газящие и разрушающиеся под действием радиации образцы — полимеры, химические вещества, суспензии — при низких ускоряющих напряжениях в 20 В. Это увеличивает поверхностную чувствительность, уменьшает зарядку непроводящих образцов и повреждение чувствительных к пучку электронов образцов. В результате микроскоп исследует диэлектрические образцы с нанометровыми областями интереса без предварительной пробоподгототовки, что также ускоряет процесс ионной резки.

Внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно-рассеянных электронов изображают поверхность образцов одновременно. Изотропное разрешение FIB-SEM томографа – 3 нм.

Конструкция колонны Crossbeam 550 минимизирует магнитные поля на поверхности образцов. Микроскоп изображает диа-, пара- или ферромагнитные образцы с разрешением 4 нм при рабочем расстоянии 2 мм и напряжении 1 кВ.

Электронная «оптика» получает предельные результаты и при работе опционального детектора СТЭМ: 0,6 нм при 30 кВ. Таким образом, большинство задач трансмиссионной (просвечивающей) электронной микроскопии (ТЭМ) Crossbeam 550 решает и без использования микроскопа ТЭМ.

Ионная колонна с галиевым источником автоматически режет и получает изображения с высокой точностью при низких ускоряющих напряжения, что гарантирует резку хрупких и не стойких к радиации образцов. Скоростью резки – ламель 50*20 мкм2 за 25 минут.

Опциональная электронная пушка для нейтрализации заряда на полупроводниковых образцах позволяет резать непроводящие материалы с высокой точностью и одновременно получать изображение поверхности.