Описание

Высокопроизводительная и экономичная система для разработок в эпитаксии.

Особенности:

• Количество позиций: сдвоенный реактор
• Вместимость: 90 x 2 дюйма, 18 x 4 дюйма, 8 x 6 дюймов
• Радиочастотный индукционный нагрев
• Высочайшие пропускная способность и объем выпускаемой продукции
• Полностью автоматизированная система загрузки/выгрузки (кассетная)
• Простота в эксплуатации и низкая стоимость обслуживания

Основные требования к полупроводниковым гетероструктурам:

• Однородность толщины и состава слоев: разброс по пластине не более ±1 %
• Температурная однородность по пластине: ДТ = ±1 °С в широком диапазоне температур
• Воспроизводимость от пластины к пластине, от процесса к процессу
• Низкая себестоимость, большой выход с годных пластин, высокое относительное время работы системы

Преимущества использования технологии MOCVD:

• Чрезвычайно высокое качество выращиваемых слоев (большая скорость роста при высокой однородности легирования и воспроизводимости)
• Высокий выход годных
• Гибкость технологии: различные материалы могут быть выращены на одной установке и в течение одного процесса
• Возможность получения резких границ, таким образом, технология подходит для выращивания гетероструктур

 

Технические характеристики

Тип реактора:

• С вертикальной подачей газа

Материал реактора:

• Нержавеющая сталь

Количество реакторов:

• Два

Емкость реактора:

• 50 мм: 84 пластины
• 100 мм: 22 пластины
• 150 мм: 6 пластин

Метод нагрева:

• ВЧ индукционный нагрев

Загрузка и выгрузка пластин:

• Роботизированная полностью автоматическая

Температура:

• До 1250°С по пирометру

Давление в реакторе:

• От 50 до 400 Торр

Технологические газы:

• N2, H2,NH3, SiH4