Установка Producer® Selectra ™ Etch представляет беспрецедентные возможности для поддержания темпа закона Мура путем дальнейшей пропорциональной миниатюризации 3D логических схем и чипов памяти. Она позволяет удалять целевые материалы с высокой селективностью с одной или нескольких пленок.

В самых современных интегральных схемах размеры элементов в структурах кристалла постепенно уменьшаются с высоким аспектным соотношением и плотно упаковываются. Точность, с которой устройства структурированы или очищены, имеет решающее значение для их максимальной надежности и корректной работы. Неполное удаление материала или увеличение критических размеров, вызванное плохой селективностью, могут стать причиной выхода их из строя. Деформация структуры размера элемента с высоким аспектным соотношением (изгиб линии и отклонение) также может повлиять на работу устройства.

Установка  Selectra направлена на устранение каждой из этих проблем. Особенности её уникального технического процесса позволяют контролировать процесс травления атомного уровня плавникового транзистора (FinFET), равномерности глубины для 3D-элементов И-НЕ иналичия повреждений для чистых структур DRAM с высоким аспектным соотношением.

В установке используется химический состав на основе радикалов для обеспечения регулировки селективности для удаления различных диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок с точностью до атома. Эта технология имеет решающее значение для продвижения закона Мура и позволяет расширить границы возможностей сегодняшних устройств FinFET.